Effects of dopants on electronic surface states in InAs
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the effects of changing roughness on the flow structure in the bends
flow in natural river bends is a complex and turbulent phenomenon which affects the scour and sedimentations and causes an irregular bed topography on the bed. for the reason, the flow hydralics and the parameters which affect the flow to be studied and understand. in this study the effect of bed and wall roughness using the software fluent discussed in a sharp 90-degree flume bend with 40.3cm ...
Electronic states on the surface of graphite
Graphite consists of graphene layers in an AB (Bernal) stacking arrangement. The introduction of defects can reduce the coupling between the top graphene layers and the bulk crystal producing new electronic states that reflect the degree of coupling. We employ low temperature high magnetic field scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) to access these states and study their ev...
متن کاملthe effects of error correction methods on pronunciation accuracy
هدف از انجام این تحقیق مشخص کردن موثرترین متد اصلاح خطا بر روی دقت آهنگ و تاکید تلفظ کلمه در زبان انگلیسی بود. این تحقیق با پیاده کردن چهار متد ارائه اصلاح خطا در چهار گروه، سه گروه آزمایشی و یک گروه تحت کنترل، انجام شد که گروه های فوق الذکر شامل دانشجویان سطح بالای متوسط کتاب اول passages بودند. گروه اول شامل 15، دوم 14، سوم 15 و آخرین 16 دانشجو بودند. دوره مربوطه به مدت 10 هفته ادامه یافت و د...
15 صفحه اولTransport properties of InAs nanowire field effect transistors: The effects of surface states
It is shown that interface trap states have pronounced effects on carrier transport and parameter extraction from top-gated InAs nanowire field effect transistors NWFETs . Due to slow surface state charging and discharging, the NWFET characteristics are time dependent with time constants as long as 45 s. This is also manifested in a time-dependent extrinsic transconductance that severely affect...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physical Review B
سال: 2019
ISSN: 2469-9950,2469-9969
DOI: 10.1103/physrevb.99.245406